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单晶生长炉

技术参数: 1、炉体:真空炉室尺寸Φ800*1200mm,双层通水炉壁用ICr18Ni9Ti不锈钢,炉门为侧开门,炉门上设有通水石英观察窗。 2、中频电源:产品应利用硅元件及IGBT模块将工频三相交流电源变换成单相中频电源。感应电源控制器使用不控整流技术,具有高功率因素(>0.95),低电网污染,同时具有恒电流及恒功率二种控制方式,可始终保持控制器处于有效功率输出模式,适用于需要频繁起动或长时间运行。人机控制界面应具有通讯功能,RS-485连接方式,可通过通讯远程读写控制器内参数和运行状态。

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单晶生长炉

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产品描述

技术参数:

1、炉体:真空炉室尺寸Φ800*1200mm,双层通水炉壁用ICr18Ni9Ti不锈钢,炉门为侧开门,炉门上设有通水石英观察窗。

2、中频电源:产品应利用硅元件及IGBT模块将工频三相交流电源变换成单相中频电源。感应电源控制器使用不控整流技术,具有高功率因素(>0.95),低电网污染,同时具有恒电流及恒功率二种控制方式,可始终保持控制器处于有效功率输出模式,适用于需要频繁起动或长时间运行。人机控制界面应具有通讯功能,RS-485连接方式,可通过通讯远程读写控制器内参数和运行状态。

  1)中频功率:80kw

  2)频率:2.5-8KHz(可选)

  3)功率因数:>0.9

  4)电源转换效率:>70-95%(中频电源在使用过程中随温度变化即功率和转换效率随之变化)

  5)功率稳定精度:<0.2%

3、真空系统:

  1)要求配备机械泵2X-8。

  2)真空度:(冷态空载)≤5Pa(数显真空计)

  3)进气流量:1~10L/min(可选配质量流量计)

  4)微正压恒压自动控制:≤0~0.04Mpa

4、加热系统:需要中频感应加热,工作温度:100℃~2000℃,工作电源:AC380V/50HZ,测温方式:B型热电偶:

  1)≤1200℃时功率控制

  2)≥1200℃时温度控制

5、控温方式:需使用液晶触摸屏显示,设置更快捷,设备运行状态更直观,设定数据和操作都是图文界面,操作方便;针对数据的存储、输出,可通过USB接口复制数据到计算机上长期保存,能存储多条程序。50段编程式控温曲线,无需值守(全自动升温、恒温、降温)。

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技术参数: 1、炉体:真空炉室尺寸Φ800*1200mm,双层通水炉壁用ICr18Ni9Ti不锈钢,炉门为侧开门,炉门上设有通水石英观察窗。 2、中频电源:产品应利用硅元件及IGBT模块将工频三相交流电源变换成单相中频电源。感应电源控制器使用不控整流技术,具有高功率因素(>0.95),低电网污染,同时具有恒电流及恒功率二种控制方式,可始终保持控制器处于有效功率输出模式,适用于需要频繁起动或长时间运行。人机控制界面应具有通讯功能,RS-485连接方式,可通过通讯远程读写控制器内参数和运行状态。